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MMDT2227-7-F

MMDT2227-7-F Diodes Zetex

mmdt2227.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details MMDT2227-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, PNP: 200mW, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-363, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, rohsCompliant: YES, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Verlustleistung, NPN: 200mW, Qualifikation: -, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, Transistormontage: Oberflächenmontage.

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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmdt2227.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ART-MMDT2222A-%233.jpg Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmdt2227.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ART-MMDT2222A-%233.jpg Bipolar Transistors - BJT 40 / 60V 200mW
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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ART-MMDT2222A-%233.jpg Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS15522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 10890 Stücke:
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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS15522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 200mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Verlustleistung, NPN: 200mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30122.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227-7-F
Produktcode: 142966 		ds30122-17098.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-363
Bem.: NPN/PNP
ZCODE: SMD
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