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MMDT2227 DIOTEC SEMICONDUCTOR

mmdt2227.pdf 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMDT2227-DIO Complementary transistors
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Technische Details MMDT2227 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - MMDT2227 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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MMDT2227
Produktcode: 199717
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mmdt2227.pdf 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Description: 40V 600MA NPN SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 60V, 600mA, NPN+PNP
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : DIOTEC mmdt2227.pdf Description: DIOTEC - MMDT2227 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : DIOTEC mmdt2227.pdf Description: DIOTEC - MMDT2227 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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MMDT2227 Hersteller : KEXIN mmdt2227.pdf 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Tranzystor: NPN / PNP; bipolarny; 40/60V; 0,6A; 200mW; SOT363 MMDT2227-YAN MMDT2227 TMMDT2227
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MMDT2227 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmdt2227.pdf 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF MMDT2227-YAN Complementary transistors
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diodes Incorporated mmdt2227.pdf 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Bipolar Transistors - BJT
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Description: 40V 600MA NPN SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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MMDT2227 MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227 Hersteller : Diotec Semiconductor mmdt2227.pdf MMDT2227
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MMDT2227 Hersteller : STMicroelectronics mmdt2227.pdf 5399_MMDT2227%20SOT-363.PDF Bipolar Transistors - BJT
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