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MMDT2227M-7

MMDT2227M-7 Diodes Zetex

ds30718.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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Technische Details MMDT2227M-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMDT2227M-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30718.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30718.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30718.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN/PNP SOT-26
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3000+0.11 EUR
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : Diodes Incorporated Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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45+0.40 EUR
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Mindestbestellmenge: 28
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - MMDT2227M-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - MMDT2227M-7 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMDT2227M-7 MMDT2227M-7 Hersteller : Diodes Inc ds30718.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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MMDT2227M-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40/60V; 0.6A
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40/60V
Current gain: 35...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN / PNP
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMDT2227M-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40/60V; 0.6A
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40/60V
Current gain: 35...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN / PNP
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of transistor: complementary pair
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