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MMDT2227Q-7-F

MMDT2227Q-7-F Diodes Incorporated

MMDT2227Q.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details MMDT2227Q-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 200mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.

Weitere Produktangebote MMDT2227Q-7-F nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F DIODES INCORPORATED MMDT2227Q.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40/60V; 0.6A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40/60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.46 EUR
271+0.31 EUR
480+0.18 EUR
685+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Diodes Incorporated MMDT2227Q.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Diodes Incorporated MMDT2227Q.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0004566219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.88 EUR
466+0.5 EUR
736+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0004566219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40/60V; 0.6A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40/60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
auf Bestellung 2968 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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271+0.31 EUR
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Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 6000 Stücke:
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5+0.74 EUR
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100+0.29 EUR
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Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, 50nA
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Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
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MMDT2227Q-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung, PNP: 200mW
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DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
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Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
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Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 830 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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MMDT2227Q-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
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