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MMDT5451-7-F

MMDT5451-7-F Diodes Zetex

ds30171.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details MMDT5451-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30171.pdf Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30171.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
360+0.2 EUR
645+ 0.11 EUR
720+ 0.1 EUR
940+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 360
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30171.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30171.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Mindestbestellmenge: 297
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30171.pdf Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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29+0.62 EUR
42+ 0.53 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30171.pdf Bipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW
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59+0.89 EUR
87+ 0.6 EUR
203+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005424583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005424583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30171.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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