MMFTC6420 Diotec Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 750+ | 1.44 EUR |
| 1500+ | 0.74 EUR |
| 3000+ | 0.39 EUR |
| 6000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details MMFTC6420 Diotec Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3/-2.2A; Idm: 12÷-6A, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20/-20V, Drain current: 3/-2.2A, Pulsed drain current: 12...-6A, Power dissipation: 0.96W, Case: SOT26; SOT457, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 95mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 3.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote MMFTC6420
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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MMFTC6420 | Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A SOT26 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMFTC6420 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs SOT-26, N+P, 20V, 3A, 70m?, 150C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMFTC6420 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3/-2.2A; Idm: 12÷-6A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.2A Pulsed drain current: 12...-6A Power dissipation: 0.96W Case: SOT26; SOT457 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| MMFTC6420 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A SOT26
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A SOT26
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| MMFTC6420 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs SOT-26, N+P, 20V, 3A, 70m?, 150C
MOSFETs SOT-26, N+P, 20V, 3A, 70m?, 150C
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| MMFTC6420 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3/-2.2A; Idm: 12÷-6A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Pulsed drain current: 12...-6A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT26; SOT457
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3/-2.2A; Idm: 12÷-6A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Pulsed drain current: 12...-6A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT26; SOT457
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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