MMFTN123 Diotec Semiconductor
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Technische Details MMFTN123 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote MMFTN123 nach Preis ab 0.038 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMFTN123 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
MMFTN123-DIO SMD N channel transistors |
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMFTN123 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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