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MMFTN123

MMFTN123 Diotec Semiconductor

mmftn123.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMFTN123 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V.

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MMFTN123 MMFTN123 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftn123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMFTN123 MMFTN123 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftn123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMFTN123 MMFTN123 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftn123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMFTN123 MMFTN123 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftn123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
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MMFTN123 MMFTN123 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED9839AAEF807C24143&compId=mmftn123.pdf?ci_sign=bb3333911f89a829aae2ceafb10d298676eccc10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 680mA; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
443+0.16 EUR
622+0.11 EUR
748+0.096 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
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MMFTN123 MMFTN123 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED9839AAEF807C24143&compId=mmftn123.pdf?ci_sign=bb3333911f89a829aae2ceafb10d298676eccc10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 680mA; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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MMFTN123 MMFTN123 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftn123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
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