MMFTN2362

MMFTN2362 Diotec Semiconductor


mmftn2362.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 N 60V 0.08OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Power Dissipation (Max): 1.25W
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Technische Details MMFTN2362 Diotec Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMFTN2362 MMFTN2362 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftn2362.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMFTN2362 MMFTN2362 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftn2362.pdf Description: MOSFET SOT23 N 60V 0.08OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Power Dissipation (Max): 1.25W
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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MMFTN2362 MMFTN2362 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftn2362.pdf MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 3A, 150C, N
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MMFTN2362 MMFTN2362 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftn2362.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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