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MMJT350T1G onsemi


mmjt350t1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Technische Details MMJT350T1G onsemi

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 650 mW.

Weitere Produktangebote MMJT350T1G nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMJT350T1G MMJT350T1G onsemi mmjt350t1-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
auf Bestellung 5878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
19+1.12 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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