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MMPQ2907A

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Produktcode: 203060
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : onsemi mmpq2907a-d.pdf Description: TRANS 4PNP QUAD 60V 600MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 PNP (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+1.28 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : onsemi mmpq2907a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Purpose Amp
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10+2.5 EUR
100+1.8 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.32 EUR
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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : ONS/FAI FFB-FMB-MMPQ2907A.pdf (PNP,60V,0.6A,1W,250MHZ,SO-16) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : onsemi / Fairchild MMPQ2907A-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Purpose Amp
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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : onsemi mmpq2907a-d.pdf Description: TRANS 4PNP QUAD 60V 600MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 4 PNP (Quad)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7000 Stücke:
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5+4.26 EUR
10+2.75 EUR
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500+1.55 EUR
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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: 4fach-PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3759 Stücke:
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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 4fach-PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMPQ2907A MMPQ2907A Hersteller : ON Semiconductor 3589502461997207fmb2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R
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Produktcode: 203059
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220 Ohm 10% 0.5W (3386X-1-221LF)
Produktcode: 203058
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