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MMRF1022HSR5 NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
RF POWER LDMOS TRANSISTOR
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Technische Details MMRF1022HSR5 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.14GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 16.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 500 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMRF1022HSR5 MMRF1022HSR5 NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.14GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
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MMRF1022HSR5 NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
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MMRF1022HSR5
MMRF1022HSR5
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.14GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
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MMRF1022HSR5
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
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