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MMRF1312GSR5

MMRF1312GSR5 NXP USA Inc.


MMRF1312H.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S GW
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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Technische Details MMRF1312GSR5 NXP USA Inc.

Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4S GW, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL, Part Status: Active, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MMRF1312GSR5 MMRF1312GSR5 Hersteller : NXP Semiconductors MMRF1312H-3137798.pdf RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
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