MMRF1312GSR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 112 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL
Technology: LDMOS
Gain: 19.6dB
Power - Output: 1000W
Configuration: Dual
Frequency: 1.03GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-1230-4S GW
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MMRF1312GSR5 NXP USA Inc.
Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 112 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL, Technology: LDMOS, Gain: 19.6dB, Power - Output: 1000W, Configuration: Dual, Frequency: 1.03GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-1230-4S GW, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MMRF1312GSR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1312GSR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen
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