MMRF1312HR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 112 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 19.6dB
Power - Output: 1000W
Configuration: Dual
Frequency: 1.03GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details MMRF1312HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-979A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Part Status: Active, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote MMRF1312HR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MMRF1312HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMRF1312HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1312HR5 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
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| MMRF1312HR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
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