Technische Details MMRF1314GSR5 Freescale Semiconductor - NXP
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs.
Weitere Produktangebote MMRF1314GSR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1314GSR5 |
![]() |
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MMRF1314GSR5 |
![]() |
Hersteller: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

