MMRF5014HR5 NXP Semiconductors
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Technische Details MMRF5014HR5 NXP Semiconductors
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 125V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 232W, Bauform - Transistor: NI-360H-2SB, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Weitere Produktangebote MMRF5014HR5 nach Preis ab 606.58 EUR bis 1051.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET HEMT 50V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360H-2SB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Power - Output: 125W Gain: 18dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET HEMT 50V NI360 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-360H-2SB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Power - Output: 125W Gain: 18dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 1-2690 MHz 125 W CW 50 V |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 125V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 232W Bauform - Transistor: NI-360H-2SB Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMRF5014HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |