MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V
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Technische Details MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2SA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 125W, Gain: 17.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2SA, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MMRF5018HSR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2SA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 125W Gain: 17.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2SA Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF5018HSR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2SA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz
Power - Output: 125W
Gain: 17.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2SA
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Description: RF MOSFET GAN NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2SA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz
Power - Output: 125W
Gain: 17.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2SA
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
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