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MMSTA55-7-F

MMSTA55-7-F Diodes Incorporated

ds30167.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT -60V 200mW
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Technische Details MMSTA55-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMSTA55-7-F MMSTA55-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30167.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SC70-3
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MMSTA55-7-F MMSTA55-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30167.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SC70-3
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MMSTA55-7-F MMSTA55-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMSTA55-7-F MMSTA55-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMSTA55-7-F MMSTA55-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30167.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SC70-3
auf Bestellung 600018000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MMSTA55-7-F ds30167.pdf
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