MMUN2113LT1G

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Produktcode: 66812
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1913+0.073 EUR
3116+0.043 EUR
4367+0.03 EUR
5000+0.025 EUR
6850+0.017 EUR
7353+0.015 EUR
9000+0.014 EUR
15000+0.013 EUR
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9804+0.015 EUR
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32700 Stücke:
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2660+0.055 EUR
5000+0.039 EUR
12000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 2660
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : On Semiconductor DTA144E-D-462107.pdf Цифровой транзистор PNP R1=47кОм, R2=47кОм, SOT-23-3 (SC-59) (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 425 Stücke:
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76+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : onsemi DTA144E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 19358 Stücke:
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12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 5595 Stücke:
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Anzahl Preis
72+0.25 EUR
115+0.15 EUR
188+0.094 EUR
500+0.068 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMUN2113LT1G Hersteller : ON-Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2113LT1G TMMUN2113
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MMUN2113LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000224344-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2113LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 714500 Stücke:
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ONSEMI dta144e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...140
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 47kΩ
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