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MMUN2113LT1G

MMUN2113LT1G ON Semiconductor

dta144e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2113LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : onsemi DTA144E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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6000+0.039 EUR
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Mindestbestellmenge: 67
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MMUN2113LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2113LT1G TMMUN2113
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1000
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MMUN2113LT1G Hersteller : On Semiconductor dta144e-d.pdf Цифровой транзистор PNP R1=47кОм, R2=47кОм, SOT-23-3 (SC-59) (SMD)
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MMUN2113LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000224344-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2113LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ONSEMI dta144e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Hersteller : ONSEMI dta144e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
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