MMUN2113LT1G
Produktcode: 66812
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMUN2113LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2113LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
Цифровой транзистор PNP R1=47кОм, R2=47кОм, SOT-23-3 (SC-59) (SMD) Транзистори |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2113LT1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
auf Bestellung 19358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2113LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 5595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMUN2113LT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2113LT1G TMMUN2113 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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