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MMUN2132LT1G

MMUN2132LT1G ON Semiconductor

dta143e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2132LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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122+ 0.21 EUR
227+ 0.11 EUR
500+ 0.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 84
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : onsemi DTA143E_D-2310818.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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250+ 0.21 EUR
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1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.047 EUR
9000+ 0.036 EUR
24000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ONSEMI 1760844.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ON Semiconductor 78742086119902dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2132LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809227-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2132.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2132.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
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