MMUN2132LT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6803+ | 0.026 EUR |
| 6850+ | 0.025 EUR |
| 9000+ | 0.023 EUR |
| 15000+ | 0.021 EUR |
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Technische Details MMUN2132LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMUN2132LT1G nach Preis ab 0.023 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MMUN2132LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 286000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 20861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
auf Bestellung 7684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2132LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 569 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 495200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMUN2132LT1G | ON-Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2132LT1G TMMUN2132Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMUN2132LT1G | ONN |
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auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6850+ | 0.026 EUR |
| 6897+ | 0.025 EUR |
| 9000+ | 0.024 EUR |
| 15000+ | 0.023 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13275+ | 0.05 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 286000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13275+ | 0.05 EUR |
| 100000+ | 0.04 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13275+ | 0.05 EUR |
| 100000+ | 0.04 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13275+ | 0.05 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.051 EUR |
| 6000+ | 0.045 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1667+ | 0.11 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 20861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 0.27 EUR |
| 124+ | 0.17 EUR |
| 202+ | 0.1 EUR |
| 500+ | 0.075 EUR |
| 1000+ | 0.067 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 870+ | 0.29 EUR |
| 1806+ | 0.13 EUR |
| 3379+ | 0.063 EUR |
| 3547+ | 0.061 EUR |
| 3746+ | 0.057 EUR |
| MMUN2132LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 870+ | 0.29 EUR |
| 1806+ | 0.13 EUR |
| 3379+ | 0.063 EUR |
| 3547+ | 0.061 EUR |
| 3746+ | 0.057 EUR |
| MMUN2132LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 7684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 0.3 EUR |
| 21+ | 0.17 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 500+ | 0.071 EUR |
| 1000+ | 0.057 EUR |
| 3000+ | 0.046 EUR |
| 6000+ | 0.039 EUR |
| MMUN2132LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMUN2132LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 495200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.055 EUR |
| MMUN2132LT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2132LT1G TMMUN2132
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2132LT1G TMMUN2132
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.33 EUR |
| MMUN2132LT1G |
![]() |
Hersteller: ONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)





