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MMUN2133LT1G

MMUN2133LT1G ON Semiconductor

dta143z-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
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Technische Details MMUN2133LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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6098+0.029 EUR
36000+0.026 EUR
54000+0.024 EUR
72000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6098 Stücke
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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4485+0.039 EUR
8929+0.019 EUR
9901+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4485 Stücke
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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9010+0.019 EUR
9901+0.017 EUR
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3876+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.039 EUR
27000+0.038 EUR
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G onsemi dta143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.046 EUR
6000+0.042 EUR
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auf Bestellung 48000 Stücke:
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13275+0.05 EUR
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auf Bestellung 13350 Stücke:
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3206+0.055 EUR
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3195+0.054 EUR
3226+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1973 Stücke
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G onsemi DTA143Z-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 55961 Stücke:
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15+0.24 EUR
23+0.14 EUR
100+0.088 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G onsemi dta143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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84+0.25 EUR
136+0.15 EUR
219+0.095 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G ONSEMI 2237078.pdf Description: ONSEMI - MMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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814+0.31 EUR
1211+0.19 EUR
2025+0.11 EUR
2850+0.075 EUR
3760+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 814 Stücke
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MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4128 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 527 Stücke
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MMUN2133LT1G ON-Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2133LT1G TMMUN2133
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
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8265+0.021 EUR
11628+0.014 EUR
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MMUN2133LT1G
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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36000+0.026 EUR
54000+0.024 EUR
72000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6098 Stücke
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MMUN2133LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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4485+0.039 EUR
8929+0.019 EUR
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4485+0.039 EUR
9010+0.019 EUR
9901+0.017 EUR
15000+0.015 EUR
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3876+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.039 EUR
27000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3876 Stücke
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MMUN2133LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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3000+0.046 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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auf Bestellung 13350 Stücke:
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3206+0.055 EUR
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auf Bestellung 4128 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1973+0.089 EUR
3195+0.054 EUR
3226+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1973 Stücke
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MMUN2133LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 55961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+0.24 EUR
23+0.14 EUR
100+0.088 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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MMUN2133LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 14928 Stücke:
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84+0.25 EUR
136+0.15 EUR
219+0.095 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMUN2133LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34137 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
814+0.31 EUR
1211+0.19 EUR
2025+0.11 EUR
2850+0.075 EUR
3760+0.057 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4128 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2133LT1G TMMUN2133
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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100+0.33 EUR
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