Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2211LT1
MMUN2211LT1

MMUN2211LT1 ON Semiconductor

mmun2211lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 76974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MMUN2211LT1 ON Semiconductor

Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Weitere Produktangebote MMUN2211LT1 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMUN2211LT1 MMUN2211LT1 Hersteller : onsemi MMUN2211LT1-D.pdf Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 79764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7869+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7869
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH