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MMUN2211LT1G (NPN-Bipolartransistor)

MMUN2211LT1G (NPN-Bipolartransistor) ON

MMUN2211LT1-D.PDF
Produktcode: 28336
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 60
Bemerkung: Digitaltransistor 10K + 10K
Montage: SMD
auf Bestellung: 356 St.
  • 356 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.071 EUR
10+0.046 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6803+0.026 EUR
6897+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 6803 Stücke
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
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6897+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 6803 Stücke
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4049+0.044 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.029 EUR
27000+0.027 EUR
51000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 4049 Stücke
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4652+0.054 EUR
9000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 4652 Stücke
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2080+0.084 EUR
2794+0.061 EUR
3226+0.051 EUR
7143+0.021 EUR
7247+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2080 Stücke
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2080+0.084 EUR
2794+0.062 EUR
3226+0.052 EUR
7143+0.024 EUR
7247+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 2080 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 17902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
747+0.11 EUR
1092+0.077 EUR
1292+0.065 EUR
1578+0.054 EUR
1825+0.046 EUR
2119+0.04 EUR
2294+0.037 EUR
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 114310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 49497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1437+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 49497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1437+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1769+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1769 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6803+0.026 EUR
6897+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 6803 Stücke
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MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6803+0.026 EUR
6897+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 6803 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4049+0.044 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.029 EUR
27000+0.027 EUR
51000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 4049 Stücke
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MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4652+0.054 EUR
9000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 4652 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2080+0.084 EUR
2794+0.061 EUR
3226+0.051 EUR
7143+0.021 EUR
7247+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2080 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2080+0.084 EUR
2794+0.062 EUR
3226+0.052 EUR
7143+0.024 EUR
7247+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 2080 Stücke
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MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 17902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
556+0.15 EUR
747+0.11 EUR
1092+0.077 EUR
1292+0.065 EUR
1578+0.054 EUR
1825+0.046 EUR
2119+0.04 EUR
2294+0.037 EUR
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
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MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 114310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 49497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1437+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2211LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 49497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1437+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1769+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1769 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 60
Bemerkung: Digitaltransistor
auf Bestellung: 553 St.
  • 553 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Spannungsreglermodul 3,3V auf IC AMS1117-3,3V
Produktcode: 115457
8 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Spannungsreglermodul 3,3V auf IC AMS1117-3,3V
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Wandler von 5V auf 3.3V, auf IC AMS1117, Eingangsspannung: 4.5...7V, Laststrom: 800mA.
Kategorie: Stromversorgungsmodul
Bestimmung: Spannungswandler 3,3 VDC
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 01.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.62 EUR
10+0.51 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 3501 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.14 EUR
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
  • 65 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4054 St.
  • 4054 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.082 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.07 EUR
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L7805CV
Produktcode: 24792
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description L7800 series.pdf
L7805CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
verfügbar: 118 St.
  • 118 St. - stock Köln
auf Bestellung: 630 St.
  • 630 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.62 EUR
10+0.54 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.29 EUR
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