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MMUN2214LT1 (NPN-Bipolartransistor)

MMUN2214LT1 (NPN-Bipolartransistor) ON

MMUN2214LT1.pdf
Produktcode: 35921
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 140
Bemerkung: Digitaltransistor 10K+47K
Montage: SMD
auf Bestellung: 61 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2214LT1 MMUN2214LT1 ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7264+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7264 Stücke
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MMUN2214LT1 On Semiconductor ONSMS14410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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MMUN2214LT1 mmun2211lt1-d.pdf
MMUN2214LT1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MMUN2214LT1 ONSMS14410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: On Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 60
Bemerkung: Digitaltransistor
auf Bestellung: 543 St.
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16+0.079 EUR
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100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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LM2904DR (TI, SO-8)
Produktcode: 27964
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LM2904DR (TI, SO-8)
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: 3...32 V
Bandbreite BW, MHz: 0,7 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 7 mV
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: -40...+125°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung: 189 St.
  • 189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
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MMUN2211LT1G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28336
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MMUN2211LT1G (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 60
Bemerkung: Digitaltransistor 10K + 10K
Montage: SMD
auf Bestellung: 367 St.
  • 367 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+0.071 EUR
26+0.046 EUR
100+0.037 EUR
1000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 17 St.
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: 3...32 V
Bandbreite BW, MHz: 0,7 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 2 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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BCV47
Produktcode: 197211
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BCV47-JSCJ.pdf
BCV47
Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 170 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
Bemerkung: Darlington
Montage: SMD
auf Bestellung: 3073 St.
  • 3073 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
19+0.063 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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