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MMUN2230LT1G

MMUN2230LT1G ON Semiconductor

dtc113ed.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2230LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Power - Max: 246 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc113ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Hersteller : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Hersteller : onsemi dtc113e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Hersteller : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc113ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
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