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MMUN2231LT1G

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Produktcode: 130507
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4485+0.039 EUR
9000+0.035 EUR
27000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4485 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3301+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.043 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.033 EUR
30000+0.029 EUR
75000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3301 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3356+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.042 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.033 EUR
30000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3356 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3356+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.043 EUR
15000+0.037 EUR
21000+0.036 EUR
30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3268+0.054 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.037 EUR
30000+0.032 EUR
75000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3268 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 16716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 52077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
196+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.38 EUR
1086+0.21 EUR
1656+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
2740+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.38 EUR
1086+0.21 EUR
1656+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
2740+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
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MMUN2231LT1G ON-Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
600+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4485+0.039 EUR
9000+0.035 EUR
27000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3301+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.043 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.033 EUR
30000+0.029 EUR
75000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3356+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.042 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.033 EUR
30000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3356 Stücke
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MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3356+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.043 EUR
15000+0.037 EUR
21000+0.036 EUR
30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3268+0.054 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.037 EUR
30000+0.032 EUR
75000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3268 Stücke
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MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 16716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 52077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
196+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
650+0.38 EUR
1086+0.21 EUR
1656+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
2740+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
650+0.38 EUR
1086+0.21 EUR
1656+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
2740+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
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MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
600+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH