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MMUN2231LT1G

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Produktcode: 130507
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3390+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3390 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3390+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3390 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3312+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3312 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
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3312+0.054 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3312 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3247+0.055 EUR
9000+0.054 EUR
27000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3247 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1619+0.11 EUR
2258+0.077 EUR
2598+0.067 EUR
3437+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1619 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1619+0.11 EUR
2258+0.076 EUR
2598+0.063 EUR
3437+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1619 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 25047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.31 EUR
17+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 11019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
183+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 30128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
1240+0.19 EUR
1829+0.12 EUR
2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 30128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
1240+0.19 EUR
1829+0.12 EUR
2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI MMUN2231.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G ON-Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
600+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3390+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3390+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3312+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3312+0.054 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3247+0.055 EUR
9000+0.054 EUR
27000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3247 Stücke
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MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1619+0.11 EUR
2258+0.077 EUR
2598+0.067 EUR
3437+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1619 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1619+0.11 EUR
2258+0.076 EUR
2598+0.063 EUR
3437+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1619 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 25047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.31 EUR
17+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 11019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
183+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 30128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
1240+0.19 EUR
1829+0.12 EUR
2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 30128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
1240+0.19 EUR
1829+0.12 EUR
2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G MMUN2231.PDF
MMUN2231LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
600+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH