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MMUN2238LT1G

MMUN2238LT1G onsemi

dtc123t-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.057 EUR
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Technische Details MMUN2238LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1210895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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10205+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
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100000+0.051 EUR
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G onsemi dtc123t-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.069 EUR
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G onsemi dtc123t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
183+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ONSEMI 2337928.pdf Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
1129+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ONSEMI 2337928.pdf Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1230 Stücke:
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MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
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MMUN2238LT1G ON dtc123t-d.pdf 07+;
auf Bestellung 24000 Stücke:
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MMUN2238LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1210895 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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auf Bestellung 24000 Stücke:
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10205+0.062 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 1460 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MMUN2238LT1G
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Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
183+0.12 EUR
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MMUN2238LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
1129+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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MMUN2238LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
1129+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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MMUN2238LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2238LT1G dtc123t-d.pdf
Hersteller: ON
07+;
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