MMZ09332BT1 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 14+ | 10.98 EUR |
| 16+ | 8.97 EUR |
| 50+ | 8.06 EUR |
| 100+ | 7.45 EUR |
| 200+ | 6.91 EUR |
| 500+ | 6.33 EUR |
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Technische Details MMZ09332BT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - MMZ09332BT1 - Verstärker, hohe Effizienz/Linearität, 130MHz bis 1GHz, 30.5dB Verstärkung, 3-5V, HVQFN-12, 175°C, tariffCode: 85423390, rohsCompliant: YES, Rauschmaß, typ.: -, Bauform - HF-IC: HVQFN, Verstärkung: 30.5dB, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Frequenz, min.: 130MHz, Betriebstemperatur, min.: -, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Frequenz, max.: 1GHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMZ09332BT1 nach Preis ab 8.38 EUR bis 15.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 130MHz ~ 1GHz RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA Voltage - Supply: 5V Gain: 31dB Current - Supply: 240mA P1dB: 32dBm Test Frequency: 1GHz Supplier Device Package: 12-QFN (3x3) Part Status: Active |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amplifier InGaP HBT Linear Amplifier, 130-1000 MHz, 30 dB, 33 dBm |
auf Bestellung 1465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MMZ09332BT1 - Verstärker, hohe Effizienz/Linearität, 130MHz bis 1GHz, 30.5dB Verstärkung, 3-5V, HVQFN-12, 175°C tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: - Bauform - HF-IC: HVQFN Verstärkung: 30.5dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 130MHz Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Frequenz, max.: 1GHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MMZ09332BT1 - Verstärker, hohe Effizienz/Linearität, 130MHz bis 1GHz, 30.5dB Verstärkung, 3-5V, HVQFN-12, 175°C tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: - Bauform - HF-IC: HVQFN Verstärkung: 30.5dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 130MHz Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Frequenz, max.: 1GHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Broadband Amp 1GHz 5V 12-Pin HVQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Broadband Amp 1GHz 5V 12-Pin HVQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Broadband Amp 1GHz 5V 12-Pin HVQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 130MHz ~ 1GHz RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA Voltage - Supply: 5V Gain: 31dB Current - Supply: 240mA P1dB: 32dBm Test Frequency: 1GHz Supplier Device Package: 12-QFN (3x3) Part Status: Active |
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