MMZ09332BT1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 130MHz ~ 1GHz
RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA
Voltage - Supply: 5V
Gain: 31dB
Current - Supply: 240mA
P1dB: 32dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Part Status: Active
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 12.97 EUR |
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Technische Details MMZ09332BT1 NXP USA Inc.
Description: IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 130MHz ~ 1GHz, RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA, Voltage - Supply: 5V, Gain: 31dB, Current - Supply: 240mA, P1dB: 32dBm, Test Frequency: 1GHz, Supplier Device Package: 12-QFN (3x3), Part Status: Active.
Weitere Produktangebote MMZ09332BT1 nach Preis ab 8.38 EUR bis 19.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amplifier InGaP HBT Linear Amplifier, 130-1000 MHz, 30 dB, 33 dBm |
auf Bestellung 1465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMZ09332BT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 130MHz ~ 1GHz RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA Voltage - Supply: 5V Gain: 31dB Current - Supply: 240mA P1dB: 32dBm Test Frequency: 1GHz Supplier Device Package: 12-QFN (3x3) Part Status: Active |
auf Bestellung 2667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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