MNS1N4568DUR-1/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TEMPERATURE COMPENSATED
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-213AA
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.4 V
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
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Technische Details MNS1N4568DUR-1/TR Microchip Technology
Description: TEMPERATURE COMPENSATED, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V, Power - Max: 500 mW, Supplier Device Package: DO-213AA, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.4 V, Operating Temperature: 0°C ~ 75°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AA, Tolerance: ±5%, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MNS1N4568DUR-1/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MNS1N4568DUR-1/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT
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