MNS1N5811US/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Technische Details MNS1N5811US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, B, Packaging: Bulk, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MNS1N5811US/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT UFR,FRR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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Bipolar Transistors - BJT UFR,FRR
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