MPLAD30KP51AE3/TR Microchip Technology
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Technische Details MPLAD30KP51AE3/TR Microchip Technology
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; reel,tape, Operating temperature: -55...150°C, Max. off-state voltage: 51V, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: unidirectional, Type of diode: TVS, Number of channels: 1, Mounting: SMD, Breakdown voltage: 56.7V, Max. forward impulse current: 366A, Peak pulse power dissipation: 30kW.
Weitere Produktangebote MPLAD30KP51AE3/TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MPLAD30KP51AE3/TR | Microsemi |
 ESD Suppressors / TVS Diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MPLAD30KP51AE3/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; reel,tape Operating temperature: -55...150°C Max. off-state voltage: 51V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: unidirectional Type of diode: TVS Number of channels: 1 Mounting: SMD Breakdown voltage: 56.7V Max. forward impulse current: 366A Peak pulse power dissipation: 30kW |
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| MPLAD30KP51AE3/TR |
|
Hersteller: Microsemi
ESD Suppressors / TVS Diodes
ESD Suppressors / TVS Diodes
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| MPLAD30KP51AE3/TR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; reel,tape
Operating temperature: -55...150°C
Max. off-state voltage: 51V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 56.7V
Max. forward impulse current: 366A
Peak pulse power dissipation: 30kW
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; reel,tape
Operating temperature: -55...150°C
Max. off-state voltage: 51V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 56.7V
Max. forward impulse current: 366A
Peak pulse power dissipation: 30kW
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