MPLAD30KP51AE3 Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details MPLAD30KP51AE3 Microchip Technology
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; MPLAD, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 51V, Breakdown voltage: 56.7V, Max. forward impulse current: 366A, Semiconductor structure: unidirectional, Mounting: SMD, Manufacturer series: MPLAD, Operating temperature: -55...150°C, Number of channels: 1.
Weitere Produktangebote MPLAD30KP51AE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MPLAD30KP51AE3 | Microchip Technology |
 Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MPLAD30KP51AE3 | Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Uni-Directional TVS |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MPLAD30KP51AE3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; MPLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 56.7V Max. forward impulse current: 366A Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Manufacturer series: MPLAD Operating temperature: -55...150°C Number of channels: 1 |
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MPLAD30KP51AE3 | Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin PLAD Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MPLAD30KP51AE3 | Microchip Technology |
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin PLAD Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MPLAD30KP51AE3 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
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| MPLAD30KP51AE3 |
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Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Uni-Directional TVS
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Uni-Directional TVS
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| MPLAD30KP51AE3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; MPLAD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 30kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7V
Max. forward impulse current: 366A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Manufacturer series: MPLAD
Operating temperature: -55...150°C
Number of channels: 1
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 56.7V; 366A; unidirectional; Ch: 1; MPLAD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 30kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7V
Max. forward impulse current: 366A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Manufacturer series: MPLAD
Operating temperature: -55...150°C
Number of channels: 1
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| MPLAD30KP51AE3 |
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Hersteller: Microchip Technology
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin PLAD Bag
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin PLAD Bag
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| MPLAD30KP51AE3 |
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Hersteller: Microchip Technology
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin PLAD Bag
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin PLAD Bag
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