Technische Details MPLAD36KP24AE3 Microchip Technology
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 36kW; 26.7V; 905A; unidirectional; Ch: 1; -55÷150°C, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 36kW, Max. off-state voltage: 24V, Breakdown voltage: 26.7V, Max. forward impulse current: 905A, Semiconductor structure: unidirectional, Mounting: SMD, Operating temperature: -55...150°C, Number of channels: 1.
Weitere Produktangebote MPLAD36KP24AE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MPLAD36KP24AE3 | Microchip Technology |
 ESD Protection Diodes / TVS Diodes 36kW Uni-Directional -55C to 150C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MPLAD36KP24AE3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 36kW; 26.7V; 905A; unidirectional; Ch: 1; -55÷150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 36kW Max. off-state voltage: 24V Breakdown voltage: 26.7V Max. forward impulse current: 905A Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Operating temperature: -55...150°C Number of channels: 1 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MPLAD36KP24AE3 |
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Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 36kW Uni-Directional -55C to 150C
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 36kW Uni-Directional -55C to 150C
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| MPLAD36KP24AE3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 36kW; 26.7V; 905A; unidirectional; Ch: 1; -55÷150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 36kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7V
Max. forward impulse current: 905A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Number of channels: 1
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 36kW; 26.7V; 905A; unidirectional; Ch: 1; -55÷150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 36kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7V
Max. forward impulse current: 905A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Number of channels: 1
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