MPSH10 Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
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| Anzahl | Preis |
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| 2427+ | 0.19 EUR |
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Technische Details MPSH10 Fairchild Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MPS-H10 |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MPSH10 | Hersteller : ON |
07+; |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MPSH10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 350000mW 3-Pin TO-92 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPSH10 | Hersteller : Central Semiconductor Corp |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ Packaging: Box Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz |
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MPSH10 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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MPSH10 | Hersteller : onsemi |
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