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MPS4250G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.05A 625000mW 3-Pin TO-92 Box
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Technische Details MPS4250G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 0.05A TO92, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MPS4250G MPS4250G onsemi mps4250-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.05A TO92
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
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MPS4250G MPS4250G onsemi MPS4250_D-2403380.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V Small Signal PNP
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MPS4250G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.05A TO92
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
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