MPS6601 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPS6601 - TRANS NPN 25V 1A TO92
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details MPS6601 ONSEMI
Description: TRANS NPN 25V 1A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote MPS6601
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MPS6601 | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW |
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MPS6601 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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MPS6601 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN |
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| MPS6601 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 25V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
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| MPS6601 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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| MPS6601 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN
Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN
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