MPSA05RA onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.14 EUR |
| 4000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details MPSA05RA onsemi
Description: ONSEMI - MPSA05RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MPSA05RA nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MPSA05RA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MPSA05RA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 46084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MPSA05RA | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
auf Bestellung 28888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MPSA05RA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MPSA05RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MPSA05RA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPSA05RA | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150, Аналог КТ608Б,... Група товару: Транзи Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPSA05RA | Hersteller : ONS/FAI |
TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |