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MPSA05RA

MPSA05RA onsemi

MPSA05%2CMMBTA05.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 46000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details MPSA05RA onsemi

Description: ONSEMI - MPSA05RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MPSA05RA MPSA05RA ON Semiconductor mpsa05-fsc-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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MPSA05RA MPSA05RA onsemi MPSA05%2CMMBTA05.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 46084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
44+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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MPSA05RA MPSA05RA onsemi MPSA05%2CMMBTA05.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
auf Bestellung 28761 Stücke:
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10+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
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MPSA05RA MPSA05RA ONSEMI ONSM-S-A0014968083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPSA05RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MPSA05RA mpsa05-fsc-d.pdf
MPSA05RA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.22 EUR
4000+0.21 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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MPSA05RA MPSA05%2CMMBTA05.pdf
MPSA05RA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 46084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 28
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MPSA05RA
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
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MPSA05RA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPSA05RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: -
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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