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MPSA06RA

MPSA06RA ON Semiconductor

pzta06jp-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Technische Details MPSA06RA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MPSA06RA MPSA06RA onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.2 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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MPSA06RA MPSA06RA ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.55 EUR
509+0.35 EUR
678+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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MPSA06RA MPSA06RA ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.89 EUR
323+0.52 EUR
509+0.32 EUR
678+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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MPSA06RA MPSA06RA onsemi pzta06-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
auf Bestellung 15078 Stücke:
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4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MPSA06RA MPSA06RA onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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MPSA06RA MPSA06RA ONSEMI FAIR-S-A0000097582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
396+0.58 EUR
622+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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MPSA06RA pzta06-d.pdf
MPSA06RA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 28000 Stücke:
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MPSA06RA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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AnzahlPrivatkunde
323+0.55 EUR
509+0.35 EUR
678+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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MPSA06RA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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323+0.52 EUR
509+0.32 EUR
678+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.14 EUR
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Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
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10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MPSA06RA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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MPSA06RA FAIR-S-A0000097582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MPSA06RA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+1.04 EUR
396+0.58 EUR
622+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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