MPSA14G ON-Semicoductor
Hersteller: ON-Semicoductordarl.NPN 500mA 30V 625mW 125MHz hfe > 10K Replacement for: MPSA13 ; MPSA14G *OBSOLETE MPSA14 TMPSA14
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Technische Details MPSA14G ON-Semicoductor
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote MPSA14G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MPSA14G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box |
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| MPSA14G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box |
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MPSA14G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW |
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MPSA14G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 500mA 30V NPN |
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MPSA14G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT |
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