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MPSA18 ON Semiconductor

MPSA18%20Rev3.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN малошумний; Uceo, В = 45; Ic = 250 мА; ft, МГц = 160; hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V; Icutoff-max = 50 нА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; Pb-free; TO-92-3
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Technische Details MPSA18 ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MPSA18 MPSA18
Produktcode: 107240
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mpsa18-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO092
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 45 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 400
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MPSA18 MPSA18 Hersteller : onsemi MPSA18%20Rev3.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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MPSA18 MPSA18 Hersteller : onsemi MPSA18_D-1811792.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 45V NPN
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