MPSH34
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Technische Details MPSH34
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 500MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
,TO-226_straightlead.jpg "MPSH34") |
MPSH34 | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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MPSH34 | onsemi / Fairchild |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
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| MPSH34 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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| MPSH34 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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Hersteller: onsemi / Fairchild
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
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