MPSH34
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Technische Details MPSH34
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 500MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
,TO-226_straightlead.jpg "MPSH34") |
MPSH34 | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 500MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tube |
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MPSH34 | onsemi / Fairchild |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
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| MPSH34 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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| MPSH34 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 500MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 500MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Hersteller: onsemi / Fairchild
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
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