MPSW05G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details MPSW05G onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote MPSW05G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MPSW05G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MPSW05G - MPSW05G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MPSW05G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPSW05G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MPSW05G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPSW05G | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MPSW05G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V 1W NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |