MQ2N5114 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 18 V
Qualification: MIL-PRF-19500
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Technische Details MQ2N5114 Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Grade: Military, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 75 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 18 V, Qualification: MIL-PRF-19500.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MQ2N5114 | Microchip Technology |
JFETs JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MQ2N5114 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 30mA; 500mW Drain-source voltage: 30V Drain current: 30mA On-state resistance: 75Ω Power dissipation: 0.5W Type of transistor: P-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MQ2N5114 |
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Hersteller: Microchip Technology
JFETs JFET
JFETs JFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MQ2N5114 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 30mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 75Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 30mA; 500mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
On-state resistance: 75Ω
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH