MR856G ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - MR856G - DIODE, FAST, 3A, 600V, AXIAL
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details MR856G ONSEMI
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote MR856G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MR856G Produktcode: 188602 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
Produkt ist nicht verfügbar
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MR856G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 3A 300ns 2-Pin DO-201AD Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MR856G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MR856G | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 600V 3A Fast |
Produkt ist nicht verfügbar |