MRF1000MB
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Technische Details MRF1000MB
Description: RF TRANS NPN 20V 332A-03, Supplier Device Package: 332A-03, Style 2, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 700mW, Gain: 10.7dB ~ 12dB, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 332A-02, Packaging: Tray.
Weitere Produktangebote MRF1000MB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF1000MB | MACOM Technology Solutions |
Description: RF TRANS NPN 20V 332A-03 Supplier Device Package: 332A-03, Style 2 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 700mW Gain: 10.7dB ~ 12dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: 332A-02 Packaging: Tray |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF1000MB | MACOM |
RF Bipolar Transistors Transistor,960-1215MHz,18V,0.7W |
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| MRF1000MB |
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Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: RF TRANS NPN 20V 332A-03
Supplier Device Package: 332A-03, Style 2
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 700mW
Gain: 10.7dB ~ 12dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 332A-02
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Description: RF TRANS NPN 20V 332A-03
Supplier Device Package: 332A-03, Style 2
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
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RF Bipolar Transistors Transistor,960-1215MHz,18V,0.7W
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