Technische Details MRF101AN NXP Semiconductors
Description: NXP - MRF101AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 182W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote MRF101AN nach Preis ab 51.73 EUR bis 267.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MRF101AN | NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRF101AN | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Current Rating (Amps): 10µA Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz Power - Output: 115W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRF101AN | NXP |
Description: NXP - MRF101AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 182W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF101AN | NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF101AN |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 55.78 EUR |
| MRF101AN |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 81.6 EUR |
| 10+ | 66.66 EUR |
| 50+ | 60.68 EUR |
| 100+ | 58.82 EUR |
| 250+ | 56.87 EUR |
| MRF101AN |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - MRF101AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NXP - MRF101AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 267.39 EUR |
| 5+ | 217.27 EUR |
| 10+ | 166.17 EUR |
| 50+ | 148.98 EUR |
| MRF101AN |
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Hersteller: NXP
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 51.73 EUR |