MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 1.667kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Weitere Produktangebote MRF1K50HR5 nach Preis ab 599.61 EUR bis 737.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRF1K50HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz Power - Output: 1500W Gain: 22.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 50 V |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MRF1K50HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MRF1K50HR5 | NXP |
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 500MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 1.667kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF1K50HR5 |
|
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 729.23 EUR |
| 10+ | 631.62 EUR |
| 25+ | 607.26 EUR |
| MRF1K50HR5 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 737.9 EUR |
| 10+ | 639.13 EUR |
| 25+ | 614.49 EUR |
| 50+ | 599.61 EUR |
| MRF1K50HR5 |
|
Hersteller: NXP
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)