MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 50+ | 342.07 EUR |
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Technische Details MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRF1K50HR5 nach Preis ab 316.96 EUR bis 426.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MRF1K50HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRF1K50HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRF1K50HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz Power - Output: 1500W Gain: 22.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 50 V |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRF1K50HR5 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 500MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRF1K50HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF1K50HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF1K50HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |