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MRF1K50HR5

MRF1K50HR5 NXP USA Inc.


MRF1K50H.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
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Technische Details MRF1K50HR5 NXP USA Inc.

Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.

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MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 Hersteller : NXP USA Inc. MRF1K50H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
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MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 Hersteller : NXP Semiconductors 911mrf1k50h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R
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MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 Hersteller : NXP Semiconductors MRF1K50H-3138669.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
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MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 Hersteller : NXP Semiconductors 911mrf1k50h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R
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MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 Hersteller : NXP Semiconductors 911mrf1k50h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R
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MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 Hersteller : NXP Semiconductors 911mrf1k50h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R
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MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 Hersteller : NXP MRF1K50H.pdf Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
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