MRF24G300HS-2450 NXP Semiconductors
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Technische Details MRF24G300HS-2450 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRF24G300HS-2450 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V, NI-780S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, Gate-Ladung, typ.: -, rohsCompliant: YES, Transistormontage: Oberflächenmontage, Anzahl der Pins: 4Pin(s), euEccn: NLR, hazardous: false, Drain-Source-Spannung Vds: 125V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Bauform - Transistor: NI-780S, Dauer-Drainstrom Id: -, usEccn: EAR99, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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MRF24G300HS-2450 | Hersteller : NXP |
 Description: NXP - MRF24G300HS-2450 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V, NI-780S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No Gate-Ladung, typ.: - rohsCompliant: YES Transistormontage: Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 125V Drain-Source-Durchgangswiderstand: - rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Bauform - Transistor: NI-780S Dauer-Drainstrom Id: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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MRF24G300HS-2450 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V |
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MRF24G300HS-2450 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: MRF24G300HS REF BRD 2500MHZ 330W |
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