MRF300BN NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 27MHz ~ 250MHz
Power - Output: 300W
Gain: 18.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - Test: 50 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 131.86 EUR |
| 10+ | 109.85 EUR |
| 30+ | 103.42 EUR |
| 120+ | 97.69 EUR |
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Technische Details MRF300BN NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 272W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote MRF300BN nach Preis ab 90.33 EUR bis 90.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF300BN | NXP |
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 272W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| MRF300BN | NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 133V Drain current: 30A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 10V Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF300BN |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF300BN |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MRF300BN |
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Hersteller: NXP
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 30+ | 90.33 EUR |