MRF300BN NXP
Hersteller: NXP
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 195.47 EUR |
| 5+ | 166.39 EUR |
| 10+ | 139.6 EUR |
| 50+ | 131.44 EUR |
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Technische Details MRF300BN NXP
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 272W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote MRF300BN nach Preis ab 105.59 EUR bis 105.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF300BN | NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 133V Drain current: 30A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 10V Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF300BN |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF300BN |
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Hersteller: NXP
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 105.59 EUR |