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MRF429

MRF429 MACOM

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Hersteller: MACOM
RF Bipolar Transistors Transistor,<30MHz,50V,150W
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Technische Details MRF429 MACOM

Description: TRANS RF NPN 50V 16A 211-11, Packaging: Tray, Package / Case: 211-11, Style 2, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 15dB, Power - Max: 150W, Current - Collector (Ic) (Max): 16A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: 211-11, Style 2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MRF429 MRF429 MACOM Technology Solutions MRF429.pdf Description: TRANS RF NPN 50V 16A 211-11
Packaging: Tray
Package / Case: 211-11, Style 2
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15dB
Power - Max: 150W
Current - Collector (Ic) (Max): 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: 211-11, Style 2
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Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: TRANS RF NPN 50V 16A 211-11
Packaging: Tray
Package / Case: 211-11, Style 2
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15dB
Power - Max: 150W
Current - Collector (Ic) (Max): 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
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