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MRF587 Advanced Semiconductor, Inc.

Advanced_Semiconductor_MRF587_RevB-1874701.pdf Hersteller: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
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Technische Details MRF587 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01, Packaging: Tray, Package / Case: 244A-01, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 13dB, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 0.5GHz, Supplier Device Package: 244A-01, STYLE 1.

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Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 13dB
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V
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Frequency - Transition: 5.5GHz
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